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Qorvo的QPD1013晶体管采用0.50 μm GaN-on-SiC技术。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN(双边扁平无引脚)封装,与传统的金属陶瓷封装相比,可以实现更简单的PCB组装。
因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,Micro LED成为Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Nichia等国际大厂争相布局的新世代显示技术。
实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.宣布,推出两款全新的功率放大器(PA),包括可以在内部匹配50Ω的行业首款500W L频段PA和一款450W S频段PA。这些高功率设备经过优化可用于国防和民用雷达系统,其功能经过设计可缩短并简化系统部署。全新QPD1003采用Qorvo高...
Power Integrations宣布推出其第100万颗 InnoSwitch3 切换开关IC,该产品采用了公司的PowiGaN氮化镓技术。
随着去年Dialog取得了台湾敦宏科技40%的股份后,国际Fabless业者Dialog于又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电(TSMC)在GaN(氮化镓)元件的合作。透过台积电以六寸晶圆厂的技术,Dialog推出了DA8801,Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tynd...
富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally...
雅特生科技 (Artesyn)宣布推出叁系列全新的50V直流/直流电源转换器模组(AVE450/AVE500/ADH700),其优点是可支援採用氮化镓(GaN)和高压LDMOS技术的高功率无线基地台设备和远端射频转发器(RRH)系统。由于GaN和高压LDMOS技术可以提高系统的功率密...
瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。
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